第1019章 透视历史（3 / 8）

的带领下，新华夏的半导体事业真正的从零开始起步，从无到有，逐渐建设起了自己的产业。

同年11月，第一支具有完整的pn结特性、具有pnp结型晶体三极管的标准放大特性的锗合金结晶体三极管在华夏科学院物理研究所半导体器件实验室诞生，这一划时代的科技成果宣告了华夏也已经踏入了半导体时代的门槛。

1957年，米国历史上最有影响的半导体公司仙童成立；同年，京城电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶；华夏科学院物理研究所半导体研究室和二机部第11研究所第4研究室开发成功锗合金扩散晶体管，该研究室历经发展，现在的名称是电子部第4013研究所，也是电子部南北两大半导体器件研究所中的“北所”。

1958年，德州仪器和仙童几乎同时发明了集成电路，同年，华夏为研制高技术专用109计算机成立了全国首家半导体器件生产厂 “109厂”，华夏自此拥有了半导体器件和集成电路研制生产中试厂。

还是在这一年，电子部第4055研究所，也就是谭振华老妈的工作单位在宁都创立，开始了半导体微波器件的研制探索，4055所，也就是电子部南北两大半导体器件研究所中的“南所”。

1959年9月15日， “601试验所”（后发展为电子部第4046研究所）成功拉出华夏首颗硅单晶，使华夏成为继米国、苏俄之后，第三个可以自己拉制硅单晶的国家；还是在这一年，华夏首次用四氯化硅氢还原法制成了纯度高达99.9999999%，史称“九个九”的高纯度多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。

1962年，米国制成了全球第一支半导体激光器；华夏拉制出砷化镓（gaas）单晶，为研究制备化合物半导体器件建立了基础，也为华夏研制大功率微波半导体器件打下了第一根桩；还是在这一年，华夏研究制成硅外延工艺